近日，我校化学与材料科学学院青年教师接文静博士在Nano Energy 57 (2019) 566–573发表了题为“Three-terminal memtransistors based on two-dimensional layered gallium selenide nanosheets for potential low-power electronics applications”的研究论文。

　　《Nano Energy》（影响因子13.12）是由纳米能源领域知名学者王中林院士担任主编，是该领域的顶级期刊。接文静博士为该论文通讯作者，她指导的硕士生杨洋为论文第一作者，我校为论文第一通讯单位。论文链接：https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2211285518309704。

　　忆阻器（memristor）为一两端器件，是一种有记忆功能的非线性电阻，由于其在储存器件及其在神经计算等方面的应用是电子材料与器件的研究热点。2018年美国西北大学Hersam小组在其2015年Nature Nanotechnology实现MoS2三端忆阻器工作上，在2018年Nature提出忆阻器晶体管（Memtransistor），其可以同时执行记忆存储和新型处理，由于是多个端口，更加接近于神经网络运行。接文静博士的工作基于GaSe二维纳米片实现这种器件的同时，开关比高达5个数量级，并且将阻变的工作电压降低到2 V左右，其电场值相比之前报道最小值还要小一个数量级，这应该与GaSe特有的Ga空位具有很小的迁移激活能有关。

 
图1.基于二维GaSe忆阻器晶体管结构示意图及该器件在栅极电压调控下的阻变特性。

　　接文静博士，副研究员，硕士生导师。主要从事二维材料制备、表征及其光电器件的研究。目前已在Adv. Mater., Angew. Chem., ACS Nano等国际学术期刊发表论文40余篇，其中三篇文章为ESI高被引论文。Google学术总被引用次数900余次，h因子14。2018年获四川师范大学 “狮山学者”杰出青年学者荣誉称号。先后主持国家自然科学基金、留学人员科技活动择优资助项目、四川省杰出青年科技人才培育项目、电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金等项目。